武漢MSDP單極脈衝磁控濺射電源

主要型號：

主要特點：
   A 明顯改善靶麵電荷積累現象，減小濺射（shè）表麵（miàn）的打火次數，提高膜層質量。
   B 具有平均電源穩定功能，具有理想（xiǎng）的電壓陡降特性（xìng），
充分滿（mǎn）足磁控濺射工藝過程的連續性。
   C 空載電壓≥1000V，工作電（diàn）壓200~800V。
   D 頻率40kHz，占（zhàn）空比20%~80%。
   E 可選擇手動（dòng）控製/模擬量接口控製（zhì），可（kě）選配RS485通訊接口。
采（cǎi）用先進的PWM脈（mò）寬（kuān）調製技術，使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關（guān）器件，
體積小、重量輕、功能（néng）全、性能穩定可靠，生產（chǎn）工藝嚴格完善。
該係（xì）列產品采用先進的（de）DSP控製係統，充分保證鍍（dù）膜工藝的（de）重複性，
並（bìng）且具（jù）有抑製靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負載匹配能力，既保證了（le）靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參（cān）數均可大範圍連續調節（jiē）；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實（shí）現自（zì）動化控製。

主要用途：

單極（jí）脈衝磁控濺射適用於金屬、合金及石墨等（děng）靶材鍍製金屬膜、碳膜和（hé）部分氧化物、氮化物及碳（tàn）化物膜。

鏡片在接受鍍膜前必須進行預清洗，這種清洗（xǐ）要求很高，達到分子（zǐ）級（jí）。在清洗槽中（zhōng）分別放置各種清洗液，並采用超聲波（bō）加強清洗效果，當鏡片清洗完後，放進真空艙內，在此過程中要特（tè）別注意避免空氣（qì）中的灰塵和垃圾再黏附在鏡（jìng）片表麵。最後的清（qīng）洗是在真空艙內，在此過程中要特別注意避免（miǎn）空氣中的灰塵和垃圾再黏附在鏡片（piàn）表麵。最後的清洗是在真空艙內（nèi）鍍前進行的，放置在真空艙內（nèi）的離子槍將轟擊鏡片的表麵（例（lì）如用氬離子），完成此道清洗工序後即進行減反射膜的鍍膜。

真（zhēn）空鍍膜電源為（wéi）什麽在現在（zài）會應用（yòng）那麽多呢，有哪些明顯的效果？

概念的區別：

1、真空鍍膜是指在高真空的（de）條件下（xià）加熱金屬或非金屬（shǔ）材（cái）料，使其蒸發並（bìng）凝結於（yú）鍍件（金屬、半導體或絕緣（yuán）體）表麵而形成薄膜的一種方法。例如，真空鍍鋁、真空（kōng）鍍鉻等。

2、光學鍍膜是指在光學零件表麵上鍍上一層(或多層)金屬(或介質)薄膜的工藝過程。在（zài）光學零件表麵（miàn）鍍膜的（de）目（mù）的（de）是為了達到減少或增加光的反射、分（fèn）束（shù）、分色、濾光、偏振等要求。常用的鍍膜法有真空鍍膜(物理（lǐ）鍍膜的一種)和化學鍍膜。