北京MSB中頻磁控（kòng）濺（jiàn）射真空鍍膜電源

主要型號：

主要特點：

   A 采用先進的電流型開關電源技術，減小輸出儲能元件，
同時提高了抑製打火（huǒ）及重（chóng）啟速度，應用在鋁靶鍍膜優勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。恒功率模式相對於傳統的恒流模式，
更能保證鍍膜（mó）工藝的重複性。
   C 具（jù）有理想的電壓陡降特性，自（zì）動識別偽打火現象，
充分滿足磁控濺射工藝過程（chéng）的連續性。
   D 主要（yào）參數可大範（fàn）圍調節
   E 可選擇手動（dòng）控製/模擬量接口控製（zhì），可（kě）選配RS485通訊接口。
采用先進的PWM脈寬調製技術，使用進（jìn）口IGBT或MOSFET作為功率開關器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩（wěn）定可靠，生產工藝嚴格完善。
該係列產品采用先進的DSP控製係（xì）統，充分保（bǎo）證鍍膜工藝的重複性（xìng），
並且具有抑製靶材弧光放電及（jí）抗短路功（gōng）能，
具有極（jí）佳的負載匹配能力，既保證了靶麵清洗工藝的穩定性，又提高了靶麵清洗速度；
主要參（cān）數均可（kě）大範圍連續調節；
方便維護，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴展功能，方便實（shí）現自動化控製。

MSB係列雙極脈（mò）衝磁控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈衝磁控濺射電源用於中頻孿生靶（bǎ）磁控濺金屬（shǔ）或非金屬（shǔ）材料，特別適合於反應磁控濺射。能增加離化率，減少（shǎo）電荷積累引起的異（yì）常放電，預防（fáng）靶表麵中毒現象（xiàng）。

在真（zhēn）空鍍膜電源時，使用直流負偏壓電源，其中運（yùn）用直流電源，這個電源的電子方向一直統一，會導致單一品種電荷堆積過高與控製（zhì）源（yuán）中和。也就是說用來（lái）提供動力的正負極被中（zhōng）和了。然後磁控濺射將不再持續。所以選用脈衝電源。

在真空中製備膜層，包（bāo）含鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相堆積也選用（yòng）減壓（yā）、低壓或等離子體（tǐ）等真（zhēn）空手法，但（dàn）一般真空（kōng）鍍膜是指用（yòng）物（wù）理的（de）辦法堆積（jī）薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現於20世紀30年代，四（sì）五十年代開端呈現工業使用，工業化大規（guī）模出（chū）產開（kāi）端於20世紀80年代，在電子、宇航（háng）、包裝、裝（zhuāng）潢、燙金印刷等工業中（zhōng）獲（huò）得廣泛的使用。真空鍍膜是指在（zài）真空環境下，將（jiāng）某種金屬或金屬化合物以氣相的方式堆積到資料外表（通常是非金屬（shǔ）資料），歸（guī）於物理氣相堆積工藝。由於鍍層（céng）常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義（yì）的真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外表真空蒸鍍聚合物等非（fēi）金屬功用性（xìng）薄膜。在所有被鍍資猜中，以塑（sù）料樶為常見，其次，為紙張鍍膜（mó）。相對於金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來曆充足、性能（néng）易於（yú）調控、加工方便等優勢，因（yīn）此品種（zhǒng）繁多的塑（sù）料或其他高分子資料作為工程（chéng）裝修性結構資料，大量使（shǐ）用於轎車、家電（diàn）、日用包裝、工藝裝修等工業領域（yù）。但塑料資料大多存在外表硬度不高、外觀不行華麗、耐磨性低（dī）等缺（quē）點，如（rú）在塑料外表蒸鍍一（yī）層極薄的金屬薄膜，即（jí）可賦（fù）予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可大大增加資料（liào）外表耐磨性能，大大拓寬了塑（sù）料的裝修性和使（shǐ）用範圍。

真空鍍膜的功用是多方麵（miàn）的，這也決議了其（qí）使用場合非常豐（fēng）富。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡麵效果，在薄膜資料上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果。