主要型號:
型號(hào) | 功率(lǜ)(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要(yào)特點:
A 可選擇三(sān)角波、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高值(zhí)和蕞低值可獨立設置。
B輸出電壓範圍:-40V~+40V。
C波形頻率範圍:0.1-50Hz
D三(sān)角波、矩形波(bō)占空比10%~90%
E 可選擇手動(dòng)控製/模擬量(liàng)接口控(kòng)製,可選配RS485通訊接口。
采用先進的(de)PWM脈寬調製技術,使用進口IGBT或MOSFET作為功率開關器件,
體積小、重量輕(qīng)、功能全、性能穩定可靠,生(shēng)產工藝嚴格完(wán)善。
該(gāi)係列產品采用先進的DSP控製係統,充分保證(zhèng)鍍膜工藝的重複性,
並且具有抑製靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負載匹配能力,既保證了靶麵清洗工藝的穩定性,又提高了靶麵清洗速度;
主要參數均可大範圍連續調節;
方便維護,可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴展功能(néng),方便實現自動(dòng)化控製。
主要用途:
MS係(xì)列勵(lì)磁多波形電源(yuán)選擇多種電壓波形輸出。通過驅動多弧靶外圍磁(cí)場線圈,產生周期性可變磁磁場,使多弧輝光由原來的集中放(fàng)電(diàn)變(biàn)為均勻放電,提高工件膜層質(zhì)量
現在(zài)工業區,在範圍上擴展的是越來越廣,跟隨w17c起草视频(men)行業的(de)發展,現在機械設備研發的是越來越多(duō),當然啦,研發那麽多,在一些加工廠家肯定是要應用到的啦,在範圍上,在數(shù)量上都不會少,現在(zài)w17c起草视频來了解下真空鍍膜電源這項項目吧!
1、在光學儀器中:人們熟悉的光(guāng)學儀(yí)器(qì)有望遠鏡、顯微鏡、照相機、測距儀,以及日(rì)常生活用品中的鏡子、眼鏡(jìng)、放(fàng)大鏡等(děng),它們(men)都(dōu)離不開鍍膜技術,鍍製的薄膜有反射膜、增透膜和吸收(shōu)膜等幾種。
2、在信息存儲領域中:薄膜材料作為信息記錄於存儲介(jiè)質,有其得天獨厚的優勢:由於薄膜(mó)很薄(báo),可(kě)以忽略渦(wō)流損耗;磁化反轉極為迅速;與膜麵平行的雙穩態狀態(tài)容(róng)易保(bǎo)持等。為了更精(jīng)密地記錄與存儲信息(xī),必然要采用鍍(dù)膜技術。
3、在(zài)傳感器(qì)方麵:在傳感器中,多采用那些電氣性(xìng)質相對於物理量、化(huà)學量及其變化來(lái)說,極為敏感的(de)半導(dǎo)體材料。此外,其中,大多數利(lì)用的是半導體的表麵、界麵的性質,需要盡量增大其麵積,且能工業化、低價格製作,因此(cǐ),采用薄膜的(de)情況很(hěn)多。
4、在集成電路製造中(zhōng):晶體管路中(zhōng)的保護層(céng)(SiO2、Si3N4)、電極(jí)管線(多晶矽、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術、PVCD技術、真空蒸發(fā)金屬技(jì)術(shù)、磁(cí)控濺射(shè)技術和(hé)射頻濺射技術。可見,氣相沉積是製備(bèi)集成電路的核心(xīn)技術之一。
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